Detalles del proyecto

Dispositivos semiconductores. Dispositivos neuromórficos. Parte 3: Método de evaluación de la plasticidad dependiente de picos en dispositivos memristores
Número:PNE-prEN IEC 63550-3
Fuente:UNE
Comité:CTN 209/SC 47
Título del comité:CTN 209/SC 47 Dispositivos de semiconductores
Fecha de inicio de recepción de comentarios:2025-octubre-09
Fecha límite de recepción comentarios:2025-noviembre-08
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Objeto y campo de aplicación del proyecto:Esta parte de la norma IEC 63550-3 especifica los métodos de ensayo para evaluar la plasticidad dependiente de los picos de los dispositivos memristores neuromórficos. Los métodos de ensayo de esta norma internacional incluyen la plasticidad dependiente del tiempo de los picos (STDP), la STDP indirecta, la plasticidad dependiente de la frecuencia de los picos (SRDP) y sus propiedades de retención. Este documento puede aplicarse a los dispositivos memristores neuromórficos sin ninguna limitación en cuanto a la tecnología y el tamaño de los dispositivos.

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