Detalles del proyecto
Número:PNE-prEN IEC 63550-4
Fuente:UNE
Comité:CTN 209/SC 47
Título del comité:CTN 209/SC 47 Dispositivos de semiconductores
Fecha de inicio de recepción de comentarios:2025-octubre-09
Fecha límite de recepción comentarios:2025-noviembre-08
Sectores:Otros dispositivos semiconductores
Objeto y campo de aplicación del proyecto:Esta parte de la norma IEC 63550-4 se centra en la evaluación de las características de asimetría, que desempeñan un papel crucial en el manejo de los memristores de comportamientos de conmutación desequilibrados en operaciones neuromórficas, lo que requiere métodos de caracterización distintos de las evaluaciones de linealidad. Los métodos de ensayo de la asimetría en esta norma internacional incluyen la asimetría, la variación de ciclo a ciclo (𝜎c2c) de la asimetría y la variación de dispositivo a dispositivo (𝜎d2d) de la asimetría. Este documento se aplica a todos los dispositivos memristores neuromórficos de dos terminales, independientemente del mecanismo subyacente.
Puede realizar comentarios a cualquier apartado de este documento mientras se refiera al citado apartado.
Todos los comentarios serán comprobados antes de hacerlos públicos en la página web. No se valorarán ni modificarán contenidos técnicos, así como tampoco se corregirán errores gramaticales u ortográficos.