Detalles del proyecto

Normalización térmica en paquetes de semiconductores. Parte 6-1: Modelo de resistencia térmica y capacitancia para la predicción de temperatura transitoria en puntos de unión y medición. Método de creación de modelos utilizando una hoja de datos de un dispositivo semiconductor
Número:PNE-prEN IEC 63378-6-1:2025
Fuente:UNE
Comité:CTN 209/SC 47
Título del comité:CTN 209/SC 47 Dispositivos de semiconductores
Fecha de inicio de recepción de comentarios:2025-octubre-09
Fecha límite de recepción comentarios:2025-noviembre-08
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Objeto y campo de aplicación del proyecto:Esta parte de la norma IEC 63378 especifica un modelo de resistencia térmica y capacitancia para paquetes de semiconductores. Este modelo se denomina modelo de resistencia térmica y capacitancia de la hoja de datos (DSRC). El modelo DSRC se caracteriza específicamente por las hojas de datos proporcionadas por los fabricantes de semiconductores y basadas en rendimientos reales. Este modelo está diseñado para predecir temperaturas transitorias en una unión y otros puntos específicos mencionados en las hojas de datos. Este documento se aplica a los paquetes de semiconductores compatibles con la norma IEC 63378-6.

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