ELECTRONICA

Comité: CTN 203/SC 91-119 (CTN 203/SC 91-119 Tecnología del montaje en superficie y electrónica impresa)
Origen: UNE
Fecha de cierre: 2022-octubre-16
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Esta norma especifica la construcción, los materiales, los requisitos de propiedades, la garantía de calidad, el embalaje, el marcado y el almacenamiento de los materiales de base para la cinta portadora de tarjetas de circuitos integrados, sin revestimiento (en lo sucesivo, materiales de base de la cinta portadora de CI). Esta norma es aplicable a los materiales de base de la cinta portadora de CI, que es un material recubierto de pegamento, una cara es una capa inferior de epoxi reforzada con vidrio E, y la otra cara está recubierta con adhesivo y protegida por una película de liberación.
Comité: CTN 209/SC 47 (CTN 209/SC 47 Dispositivos de semiconductores)
Origen: UNE
Fecha de cierre: 2022-octubre-16
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Este procedimiento de medición define un método para medir la emisión electromagnética radiada de un circuito integrado (CI) utilizando una línea TEM. El CI que se evalúa se monta en una placa de pruebas de CEM (PCB) entre el conductor activo y el plano de tierra de la disposición de la línea TEM.
Comité: CTN 203/SC 91-119 (CTN 203/SC 91-119 Tecnología del montaje en superficie y electrónica impresa)
Origen: UNE
Fecha de cierre: 2022-octubre-16
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Esta norma internacional define el método que debe seguirse para la determinación del coeficiente X/Y de dilatación térmica de los materiales aislantes eléctricos mediante el uso de un analizador termomecánico (TMA). Este método es aplicable a los materiales que son sólidos en todo el intervalo de temperatura utilizado y que conservan una dureza y una rigidez suficientes a lo largo del intervalo de temperatura para que no se produzca una indentación irreversible de la muestra por la sonda de detección.
Comité: CTN 209/SC 76 (CTN 209/SC 76 Equipos, instalaciones y sistemas láser y electro ópticos)
Origen: UNE
Fecha de cierre: 2022-octubre-16
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Este documento especifica los métodos de ensayo para la determinación del retardo de fase óptica lineal de los componentes ópticos mediante rayos láser polarizados.